SK하이닉스가 전력소비를 큰 폭으로 줄일 수 있는 극미세공정을 적용한 D램을 개발했다.

SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 6세대 1c 미세공정은 기존 D램 제조사들이 개발에 성공한 12나노미터(nm) 공정보다 더 미세한 공정으로 추정된다.

SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”며 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다.

SK하이닉스는 또 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다.

회사측은 “AI 시대가 본격화되면서 데이터센터 전력 소비량이 늘어나는 가운데 클라우드 서비스 사업자들이 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것”이라고 설명했다.

고성수 기자 ssgo@naeil.com