SK하이닉스는 세계 최고층인 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드플래시메모리를 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다.

낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 싱글레벨셀(SLC 1개) 멀티레벨셀(MLC, 2개) 트리플레벨셀(TLC, 3개) 쿼드러플레벨셀(QLC, 4개) 펜타레벨셀(PLC, 5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

SK하이닉스는 “2023년 6월에 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해 왔다”며 “내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 ‘3-플러그’(Plug) 공정기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다. 이 과정에서 회사 기술진은 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화해 이전 세대보다 생산성을 59% 높였다.

SK하이닉스에 따르면 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI)향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다.

최정달 SK하이닉스 부사장은 “300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 저장장치 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “이를 통해 고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖추게 됐다”고 말했다.

고성수 기자 ssgo@naeil.com